过去一段时间里，有关4F² DRAM的话题掀起了不少讨论。一方面长鑫存储（CXMT）对外公布了4F²单元结构研发取得关键进展，预计于今年末推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。另一方面，美光宣布终止4F²单元结构的DRAM开发，选择继续扩展6F²单元结构，同时将3D DRAM作为长期替代方案。

据TrendForce报道，SK海力士在2026财年第三财季的财报电话会议上表示，计划通过改进工艺及稳定的平台运营，最大限度地发挥现有6F²单元结构的性能潜力，同时继续推进4F²单元结构和3D DRAM的开发，作为下一代产品的潜在选项。

相比于6F²单元结构，新的4F²单元结构将每个存储单元面积从 3F×2F 减少至2F×2F，并运用更先进的扩展方法，在相同芯片尺寸内将单元密度提升了30%至50%，其中“F”代表光刻工艺的最小特征尺寸。不过这种密度的提升也是有代价的，首先更小的存储单元不一定能提高制造效率，因为生产工艺变得复杂，可能会推高成本并降低良品率。这是出于这一考虑，美光才选择放弃4F² DRAM。

EUV光刻技术为6F² DRAM的扩展提供了更大的空间，SK海力士认为将成熟架构潜力最大化是最有效的策略，不但能保证生产的稳定性，还能保持成本的竞争力。另外SK海力士还同步推进4F² DRAM和3D DRAM的开发工作，分阶段进行，具体将取决于各项技术的成熟程度与经济上的可行性。

今年3月，三星首次采用10nm以下工艺制造了DRAM工程芯片，并在器件特性测试中确认可以正常工作。全新的10a DRAM工艺将实际线宽缩小至9.5nm至9.7nm之间，成为了业界首个跨入到个位数nm级别的sub-10nm DRAM工艺技术。其中有两项关键技术，分别是4F²单元结构和VCT技术。

三星计划于2026年内完成10a DRAM工艺开发，2027年进行质量测试，2028年转入量产阶段。