SK海力士（SK Hynix）傳出正洽談收購英特爾（Intel）位於美國俄亥俄州的半導體園區，目標是在未來五年內於美國生產記憶體。

根據南韓中央日報引述產業消息人士報導，SK海力士目前正進行與此次收購相關的內部審查及政府核准程序，而雙方也仍在協調交易金額與時程。

對SK海力士而言， 這樁交易可讓公司符合美國政府要求半導體企業在美國本土設廠生產的政策方向；對英特爾而言， 則可透過出售資產獲得資金，為其努力尋找出路的晶圓代工事業挹注現金流，緩解財務壓力。

英特爾於2022年在俄亥俄州新奧爾巴尼（New Albany）動工興建半導體園區，為40年來首座全新製造基地，迄今已完成大量基礎工程，包括混凝土澆置及鋼構搭建。整座園區占地約405萬平方公尺，規模足以容納八座晶圓廠。英特爾估計，若將整個園區全面開發完成，需耗資約1,000億美元。

英特爾原定在2025年就完成第一階段的兩座晶圓廠並投產，但後來在財務壓力下，英特爾去年宣布大規模裁員與削減資本支出，並將俄亥俄廠的投產時間延後至2030至2031年。

如今傳出SK海力士正洽談收購這座園區，希望在完成收購後，於五年內啟動記憶體前段製程生產。

韓媒分析，對SK海力士來說，收購這座大部分基礎建設已完成的園區，不僅能快速取得美國製造基地，也能回應華府要求擴大在美投資的政策壓力。此前，川普政府一直要求三星電子與SK海力士擴大在美國的投資，以推動美國建立自主半導體製造能力。

目前三星正投資約370億美元，在德州泰勒興建先進晶圓代工與研發中心，預定明年開始營運；SK海力士投資約38.7億美元，在印第安納州興建高頻寬記憶體（HBM）封裝廠，目標於2028年投入營運。

但美方仍要求韓廠進一步加碼，美國商務部長盧特尼克10日出席美光紐約州新廠活動時表示，希望能將 三星電子與SK海力士更多的生產設施帶到美國設廠。業界人士普遍解讀，盧特尼克的談話代表美方希望韓廠不只是在美國設立晶圓代工與先進封裝產能，而是進一步建立前段記憶體製造能力，包括DRAM晶片生產。

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