中國DRAM大廠長鑫存儲準備進軍由三星電子等外國對手主導的快閃記憶體（NAND）市場，但此將使該公司與中國NAND龍頭長江存儲正面競爭。
路透引述三名知情人士報導，長鑫計畫在北京新廠建立NAND研發產線，已取客戶討論相關計畫，包括一家有意向其採購NAND晶片的新創公司。
目前還不清楚這條產線何時投產，也無法確定長鑫是否能從研發、試產，進一步走向大規模商業量產。
AI伺服器需求強勁，造成全球記憶體供應吃緊，業界估計至少持續到2027年下半年。製造商優先把資本支出投入DRAM與高頻寬記憶體（HBM），限制NAND的產能擴張，加劇短缺。
長鑫與長江存儲素有中國記憶體業「雙子星」，原本前者主攻DRAM，後者是NAND，界線已開始模糊。長江存儲傳出4月把低功耗DRAM樣品送到客戶手上，評估進軍長鑫的核心業務。
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