美國半導體設備大廠應用材料1日宣布推出一系列全新晶片製造系統，鎖定AI晶片所需的DRAM、HBM與先進封裝製程，協助客戶突破「記憶體牆」瓶頸，提升記憶體頻寬、能源效率與3D堆疊良率，加速新一代AI晶片導入量產。

應材指出，隨著AI模型規模持續擴大，資料運算與傳輸需求快速成長，記憶體頻寬、容量與能效已逐漸成為AI運算限制，高頻寬記憶體與3D堆疊封裝因此成為產業關鍵。不過，相關技術也使製程複雜度大幅提高，從DRAM電晶體、矽穿孔、微凸塊、混合鍵合到缺陷檢測，都需要更高精度的材料工程與製程控制能力。

在DRAM製程方面，應材推出升級版 Centura Prime Epi 磊晶系統，將過去多用於先進邏輯製程的磊晶技術導入次世代DRAM周邊電路。該系統可在源極／汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺與磷化矽，透過應變工程與精準摻雜控制，提升驅動電流與電晶體效率，支援更高速、更節能的DRAM運作，並滿足HBM及下一代DDR對記憶體頻寬的需求。新系統占地面積也縮小20%，有助DRAM晶圓廠提升設備配置密度與產能擴充效率。

應材半導體產品事業群總裁Prabu Raja表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的電晶體與材料工程技術，如今正成為DRAM創新的關鍵；隨著DRAM持續微縮，以滿足HBM與AI應用對頻寬日益成長的需求，邏輯與記憶體製程技術之間的界線正逐漸融合。

在先進封裝領域，應材同步推出 Opta Quad CMP、Nokota Vmax 2 ECD 與 Producer Avila 2 PECVD 三款新系統，鎖定3D堆疊最關鍵製程。其中，Opta Quad CMP針對混合鍵合所需的高平整度要求，強化晶圓內均勻性與總厚度變異控制；Nokota Vmax 2則透過自適應圖案化調校技術，提升矽穿孔與微凸塊等銅沉積均勻性；Producer Avila 2可在矽穿孔周圍沉積應力平衡介電薄膜，強化超薄DRAM晶粒穩定性，支援12層、16層及更高堆疊層數HBM設計。

Raja表示，先進封裝已成為提升系統層級效能的重要驅動力，次世代3D架構複雜度提高，也對每一道製程提出更高精度要求。應材憑藉介電質CVD、電化學沉積與CMP技術，加上製程整合能力，將協助客戶以更高可靠性與良率實現3D堆疊量產。

此外，應材也將晶圓廠等級的電子束量測與缺陷複檢導入先進封裝，推出 VeritySEM 7AP 關鍵尺寸量測系統與 SEMVision G7AP 缺陷分析系統。應材指出，隨著先進封裝結構微縮，部分缺陷尺寸已低於傳統光學檢測設備解析極限，單一缺陷甚至可能導致整個HBM堆疊報廢，因此封裝廠需要更高精度的電子束檢測能力。

應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理Keith Wells表示，先進封裝結構持續微縮後，封裝廠需要電子束等級檢測精度，以重新偵測並精確分類缺陷。VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP正是將應材在晶圓廠累積的製程控制技術延伸至先進封裝，並針對3D架構基板特性與缺陷挑戰進行最佳化設計。

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