美股記憶體族群昨夜強勢噴發，美光、SK海力士同步勁揚逾1成，激勵台日韓記憶體股同步走強。台股22日延續反彈氣勢，在國際龍頭領軍與AI需求續旺雙重利多帶動下，華邦電（2344）、旺宏（2337）、南亞科（2408）紛紛攻上漲停，排隊買單都超過萬張以上，記憶體族群全面點火，成為盤面最強主流之一。

美股周二由晶片股領軍反攻，費半指數大漲5.21%，台積電（2330）ADR同步勁揚5.55%。其中，記憶體族群表現最為亮眼，美光飆漲12.17%，SK海力士ADR大漲13.75%，Sandisk、Western Digital也同步勁揚逾一成，市場風險偏好明顯回升。

國際多頭氣勢隨即蔓延至亞洲。南韓KOSPI指數盤中大漲逾5%，重新站上7,000點整數關卡，三星電子、SK海力士同步走高；日本日經225指數續揚，記憶體大廠鎧俠更大漲10%，反映資金全面回流半導體與記憶體族群。

台股同步受惠國際利多，集中市場指數盤初一度勁揚近1,100點、重返45,000點大關。記憶體族群買盤快速升溫，華邦電、旺宏鎖住漲停並站回10日線，南亞科盤中也亮燈漲停、一舉站上月線，青雲（5386）、晶豪科（3006）觸及漲停，群聯（8299）、宜鼎（5289）、創見（2451）、廣穎電通（4973）、凌航（3135）等同步上漲逾5%，族群呈現全面轉強格局。

除了股價表現強勢，產業基本面也持續釋出利多。集邦科技（TrendForce）最新報告指出，AI伺服器、資料中心與高效能運算（HPC）需求持續推升資料儲存容量，今年NAND Flash市場供應仍將維持吃緊。由於國際原廠優先擴充DRAM產能，新廠投產速度有限，市場供需緊繃預估將延續至2027年上半年，隨製程升級及新增產能陸續開出，2027年下半年才有機會逐步改善。

個股布局方面，南亞科也積極卡位下一波AI推論商機。資深副總經理吳志祥表示，公司正投入客製化高I／O DRAM（UWIO DRAM）及3D IC堆疊技術，瞄準地端AI應用。相較於HBM，新架構可望提供5至10倍記憶體頻寬，單位傳輸能耗降至HBM的十分之一。隨AI PC與AI伺服器持續提升DRAM容量需求，市場看好將成為南亞科未來的重要成長引擎。