記憶體族群歷經重挫後，16日隨台股反攻、美光等國際記憶體大廠股價回升而走揚，晶豪科（3006）、宜鼎（5289）盤中一度漲逾8%，華邦電（2344）、群聯（8299）、鈺創（5351）、南亞科（2408）也反彈逾3%。不過，馬斯克示警中國記憶體產能將於2028年大幅增加，南韓業界更憂心2029年供給過剩，市場正重新評估AI需求支撐與中國業者追趕對產業景氣的影響。

這波賣壓前一交易日已席捲全球記憶體市場。韓股15日重挫7.57%，三星電子下跌約9.5%、SK海力士跌約11.1%；台股同步下跌1,655.96點，南亞科（2408）收439.5元、跌逾8%，華邦電（2344）下跌6.06%。長鑫存儲新一代DRAM技術進展，引發市場對中國業者競爭力的關注；加上美國通膨與AI投資前景疑慮，記憶體股成長預期面臨重新評價。

市場爭論的核心，在於記憶體供需何時可能由緊轉鬆。馬斯克15日在社群平台表示，中國有望於2028年大規模生產RAM，讓市場更加關注中國記憶體業者的技術突破與量產進度。南韓金融專欄則警告，全球新增產能陸續開出後，記憶體市場可能在2029年面臨供給過剩，2030年甚至進入景氣下行階段。不過，實際影響仍取決於中國業者的量產規模、良率、產品規格及客戶認證進度。

然而，美系外資仍預估，記憶體供需失衡可能延續至2028年，全球供給缺口占比將由2026年的約20%，降至2027年的19%、2028年的15%。另一方面，HBM市場規模也被看好持續擴大，反映AI伺服器需求仍是產業重要支撐。換言之，短期缺貨與中長期供給過剩並非必然矛盾，關鍵在於AI需求成長能否持續消化新增產能，以及供給擴張的速度是否超前需求。

美光的產能布局與客戶訂單，則凸顯高階記憶體需求仍具支撐。美光15日啟用位於中科后里的先進封裝與測試二廠（AATT2），強化HBM先進封裝與測試能力。公司表示，2027年大部分HBM產能已完成客戶預訂，並預期至2028年前，HBM需求成長速度將持續超越傳統DRAM。美光在台累計投資已逾1.6兆元，布局涵蓋桃園、苗栗銅鑼、台中及台南，台灣在其記憶體製造與先進封裝布局中的角色日益重要。

此外，面對半導體技術競爭升溫，國際大廠也持續深化研發合作。應用材料成立EPIC研發中心，集結三星、SK海力士、台積電（2330）、美光及英特爾等業者，推動材料、設備與製程協作，顯示產業競爭不只在於擴充產能，也包括技術迭代與製程整合。

對台灣記憶體族群而言，16日反彈反映市場情緒回穩，但尚不足以確認先前跌勢已經扭轉。後續除觀察DRAM價格、AI需求與國際大廠擴產進度，也須追蹤中國業者能否將技術進展轉化為具規模的有效供給。當前市場的關鍵，不只是AI需求能否延續，更在於新增產能何時、以多快的速度進入市場，進而決定記憶體景氣是維持緊俏，還是逐步走向供需平衡。