三星電子29日表示，在人工智慧（AI）熱潮激增帶動需求激增下，記憶體晶片供不應求將持續到2028年，即便明年資本支出大幅增加，但新廠建設開支提高與設備交貨期拉長，都仍可能限制2028年的產量成長。

三星電子也指出，第七代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E和下一代HBM5的晶粒尺寸擴大、以及製程層數增加，減少了每片晶圓的產出，都是擴增供應的限制因素。

三星電子預期，本季AI驅動的DRAM需求，將主要是「中央處理器（CPU）和繪圖處理器（GPU）平台相關的產品」，包括輝達（NVIDIA）殷切需要高頻寬記憶體（HBM）HBM4的Rubin繪圖晶片，還有Vera CPU。

三星電子表示，明年的HBM供應量已實質分配完畢，但大客戶仍持續提出額外的供應請求。

在NAND快閃記憶體部分，三星電子也提到與「個人AI代理服務擴大的相關」需求，帶動其固態硬碟儲存需求「暴增」。

客戶搶簽長期協議 確保供應

三星電子說，已和十家大客戶簽署長期供應協議（LTA），並正與其他十家洽談中，因為廣泛產業的更多客戶都尋求穩定的長期記憶體供應，包括超大規模雲端業者（hyperscaler）、伺服器製造商，以及行動、汽車和網路業者。

三星電子透露，若以目前合約協商步調判斷，2030年之前的產能，會有60%-70%被長期供應協議包下的可能性愈來愈高。

在基本合約條款到期後，這些長期供應協議能滾動式調整，每年透過協商延長條件，一些客戶要求額外拉長的時間，甚至遠超乎原先預期的程度。

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